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下面将参考附图并结合推行例来具体说明本实用新型。
如图1-3所示，一种长延时大码率声表面波推迟线，包括芯片轮缘1、压电基片、换能器跟吸声胶，所述换能器包括键入换能器跟输出换能器大带宽，所述压电基片选用氮化物构成，所述换能器包括双IDT结构叉指条3跟引线负极2，芯片轮缘1为两个，一个坐落键入换能器的引线负极2之间，另一个坐落输出换能器的引线负极2之间大带宽，所述芯片轮缘1的表面上抹有吸声胶，所述引线负极2选用铝电极或金电极中的一种，输入换能器跟输出换能器均为半圆结构，所述半圆结构中不同速率的内径不同，其周期沿外径方向递增或递减。
上述换能器为叉指结构，相邻两指条之间的距离相等，所述半圆结构选用周期渐变的半圆结构。
上述引线负极2的长度为0.1um-0.4um。
上述引线负极（2）采用铝电极。
本实用新型选用氮化物材料作为压电基片，具有良好的气温稳定性，同时本实用新型的键入换能器、输出换能器均选用半圆结构，其周期沿外径方向递增或递减，周期长的部份对应延迟线通带的高频频段，周期短的部份对应延迟线通带的低频频段，可以获得较宽的码率跟较低的耗损。本实用新型在普通的声表面波推迟线结构的基础上，采用半圆结构，获得了较宽的码率；同时通过改变半圆结构换能器中不同速率的内径实现通带补偿技术，对不同速率的传播耗损进行补偿，进而得到平坦的通带，可以在保证通带平坦度的状况下，得到长延时、大码率的声表推迟线，在中心速率600MHz，带宽200MHz的条件下，实现300ns、700ns等多个推迟时间，最长的达到了10us，同时有着较差的通带平坦度。
以上所述仅为本实用新型的较佳推行例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神跟原则之内，所作的任何更改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
